G-31D6型高精密光刻機

產品介紹：

設備概述

本設備廣泛用於各大、中、小型企業、大專院校、科研單位，它主要用於中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表麵波器件、薄膜電路、電力電子器件的研製和生產。

主要構成

本設備為板板對準雙麵曝光

主要由雙目視場CCD顯微顯示係統、二台6"LED專用曝光頭、PLC電控係統、高精度對準工作台、Z軸升降機構、真空管路係統、氣路係統、直聯式真空泵、二級防震工作台等組成。

曝光頭部件圖

CCD顯微係統|X、Y、Q對準工作台

主要功能特點

1.適用範圍廣

適用於150×150mm以下、厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光，雙麵可同時曝光，亦可用於單麵曝光。

2.結構先進

Z軸采用滾珠直進式導軌和可實現硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構，真空吸版，防粘片機構。

3.操作簡便

X\Y移動、Q轉、Z軸升降采用手動方式；吸版、反吹采用按鈕方式，操作、調試、維護、修理都非常簡便。

4. 可靠性高

采用進口（日本產）電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動係統、真空管路係統和精密的機械零件，使本機運行具有非常高的可靠性。

5. 特設功能

除標準承片台外，還可以為用戶定製專用承片台，來解決非圓形基片、碎片和底麵不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題

主要技術指標

1、曝光類型：版版對準雙麵曝光

2、曝光麵積：150×150mm；

3、曝光照度不均勻性：≤±3.5%；

4、曝光強度：0～30mw/cm2可調；

5、紫外光束角：≤3?；

6、紫外光中心波長：365nm；

7、紫外光源壽命：≥2萬小時；

8、工作麵溫度：≤30℃

9、采用電子快門；

10、曝光分辨率：1μm(曝光深度為線寬的10倍左右)

11、曝光模式：雙麵同時曝光

12、對準範圍：X:±5mm Y:±5mm

13、套刻精度：1μm

14、旋轉範圍：Q向旋轉調節≤±5°

15、顯微係統：雙視場CCD係統，物鏡1.6X～10X，計算機圖像處理係統，19″液晶監視器；

16、掩模版尺寸：能真空吸附6"方形掩板，對版的厚度無特殊要求（1～3mm皆可）。

17、基片尺寸：適用於Φ5"mm圓形基片（或3"×3"mm方形基片），基片厚度≤5mm。